尽管某些技术不断进步，从而提供了性能的稳定增长，但其他技术却取得了飞跃式发展，每隔几年就会带来巨大的改进。对于存储和RAM，后者就是这种情况。作为内存模块制造的领导者，三星向我们展示了智能手机何时可以期待下一个“飞跃”。这是在高通公司在香港举办的一次活动中发生的，该活动的重点是4G和即将到来的5G。
在三星移动存储产品计划负责人的一次演讲中，我们透露了下一代闪存存储(称为UFS 3.0)将于2019年进入移动设备。如果您想了解有关UFS和当前使用的标准的更多信息，UFS 2.1，您可以查看我们的文章，其中解释了所有内容。
简而言之，UFS是现代智能手机用于从操作系统到照片和视频的所有存储的类型。每个内存芯片都具有最大的读写文件速度，更高的速度使您的设备感觉更敏捷，响应能力更强。UFS 3.0芯片将使用三星最新的3D NAND技术制造，这将使该公司不仅可以将更多的存储空间填充为相同大小，还可以使其速度提高两倍。
新芯片的第一批浪潮将提供三种变体：128GB，256GB和512GB，预计2021年将提供1TB选件。这意味着我们将与拥有64GB存储空间的旗舰手机说再见，因为我们应该花很长时间前。另一方面，这可能是制造商提高价格的另一个原因。无论哪种方式，新芯片不仅会流连忘返，而且随着5G和超高清(和高FPS)视频记录和回放的推出，新芯片被认为是必不可少的。
LPDDR5 RAM形式是2020年的又一重大进步。三星的DDR5内存将显着提高最大带宽：51.2GB / s(目前约为25GB / s)，同时电源效率提高20%。RAM对于手持设备的性能也非常重要，因为RAM是存储您当前正在使用的应用程序的地方，以及操作所需的其他东西。自从2014年推出LPDD4以来，向LPDDR5的转换将是第一款主要的内存升级电话。
不用说，这些组件的速度还不够快，但是看来我们至少要等几个月。我们将动手使用UFS 3.0 手机，甚至更多，然后才能体验更快的内存。