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戴尔最新的闪存采用TLC 3D NAND技术 旨在降低成本

随着IT界努力适应闪存的迅速普及和急剧下降的成本,戴尔正在做出真正的努力来引领这条道路。

根据该公司,戴尔新的SC4020一体机磁盘阵列的性能提高了24倍,容量与15K硬盘的容量相同,每个DellStorage2U阵列的原始闪存容量高达90TB。

IDC存储系统研究主管埃里克?伯格纳(Eric Burgener)表示,成本一直是数据中心采用闪存技术的最大障碍。他认为,戴尔(Dell)宣布的全闪存配置每千兆字节的价格点较低,将使闪存技术在更多企业工作量中得到使用。

Burgener说:“戴尔宣布建立在TLC 3D NAND技术基础上的闪存驱动器,使得基于闪存阵列的每机架单元的存储密度领先于45 TB,并将企业闪存每千兆字节的成本降至与15K RPM HDD大致相同的成本。”

根据戴尔的说法,其新的虚拟化存储阵列架构“使创新的方法能够根据工作负载目标和使用模式,智能地利用同一数组中的多个闪存类型”。它说,这“导致了一系列高速,但经济的戴尔闪存优化阵列的全闪存和混合闪存配置”。

据戴尔存储副总裁兼总经理艾伦·阿特金森(Alan Atkinson)表示,戴尔是第一家宣布支持这种最新闪存技术的阵列供应商。

借助戴尔的数据进度智能数据放置技术和戴尔存储中心6.6阵列软件的发布,戴尔存储SC系列阵列将在基于TLC3DNAND的新主流RI闪存驱动器上进行优化。”戴尔在一份声明中表示。主流的RI阵列有"业界最低的每GB成本,最高密度的企业级闪存驱动器",因此"以与高端15K硬盘大致相同的价格提供固态硬盘,性能提升高达24倍,密度高达六倍,延迟更低,功耗更低"。

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