英特尔在管道中拥有多达4代产品，用于它吹捧的Optain内存生产线。
英特尔将"填充内存层次结构的间隙"并将处理器和数据与第二代OptainDataCentre(DC)持久性存储器和OptaneSSD的推出以及144层QLC3DNAND集成在一起，用于数据中心SSD，其主管说。
世界上最大的半导体公司还表示，它在管道中拥有四代OptaneDC永久存储器和SSD。第二代OptaneDC永久存储器被称为BARLOWPASS，而OPBSSD将被称为Alder流。
英特尔还将在第四季度开始运送96层3DNAND，并在明年启动144层QLC，或每单元4位，明年3DNAND，英特尔的非易失性存储器解决方案团队的高级副总裁和总经理，在韩国首尔的英特尔内存和存储日新闻发布会上说。
"历史上已经以分层的方式构建了存储器和存储器,"克鲁克说。
"无论何时您可以获得10倍的容量性能改进，我们都有机会插入新的层，"说，将其OptaneDC永久存储器定位为处理器和数据之间的新层。
克鲁克声称新硬件将提供比传统DRAM更多的容量并且比传统的3DNAND固态硬盘更快。
"DRAM密度正在减慢,并且数据和存储器容量之间的间隙增加,"说，KristieMann是Intel的OptaneDC持久存储产品团队的高级总监。"我要说的是，我们的山地直流固态硬盘是使用类固醇的固态硬盘。"
Mann说，英特尔相信，在10年的轨道上，山顶线将仍然是数据中心的一个中心层。
在2017年推出，英特尔的OptainDC持久存储模块位于处理器的内存总线上，是字节可寻址的，与基于块的存储不同，并且比任何SSD快得多。
韩国是三星电子(SamsungElectronics)的家，它与英特尔(Intel)一样，是一款集成的器件制造商，设计和制造半导体。
由于对存储芯片需求的空前需求，三星在创纪录的运营利润推动下，在2017年将英特尔的地位作为最大的半导体公司进行了短暂的收购。然而，由于最近在存储器市场的低迷，它已经放弃了其在顶部的地位。
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